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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.8
19.6
写入速度,GB/s
8.7
17.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
4000
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
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