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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.4
17.6
写入速度,GB/s
10.9
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3268
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
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