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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
总分
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
16.2
14.8
写入速度,GB/s
10.7
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2644
2997
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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