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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
73
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
63
读取速度,GB/s
3,510.5
10.0
写入速度,GB/s
1,423.3
7.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2162
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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