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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
18.2
14.1
写入速度,GB/s
11.5
13.9
内存带宽,mbps
10600
no data
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
, 1.20000005, CAS Supported:
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
3067
2918
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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