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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
23
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
23
读取速度,GB/s
17.4
21.3
写入速度,GB/s
12.2
17.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
4251
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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