RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB

总分
star star star star star
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB 需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    18 left arrow 53
    左右 66% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.7 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.1 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    18 left arrow 53
  • 读取速度，GB/s
    17.7 left arrow 7.5
  • 写入速度，GB/s
    13.1 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2926 left arrow 1833

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM的比较

Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB

Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB RAM的比较

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
内存RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
内存RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
内存RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
内存RAM