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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
比较
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
总分
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
67
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
67
读取速度,GB/s
13.5
15.9
写入速度,GB/s
8.5
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1795
1850
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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