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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
比较
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
总分
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
5.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
11.1
17.4
写入速度,GB/s
5.8
14.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1807
3692
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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