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Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Kingston HX316C10F/8 8GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
Kingston HX316C10F/8 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
14.7
21.4
写入速度,GB/s
9.2
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2585
3739
Kingston HX316C10F/8 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
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