RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
69
左右 -176% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
25
读取速度,GB/s
6.1
18.5
写入速度,GB/s
4.1
14.9
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
3593
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link