RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
69
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
39
读取速度,GB/s
6.1
17.5
写入速度,GB/s
4.1
10.6
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
2600
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link