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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
比较
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
总分
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
50
左右 -178% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
18
读取速度,GB/s
10.0
19.4
写入速度,GB/s
7.8
15.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2159
3063
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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