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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,077.3
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
61
左右 -91% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
32
读取速度,GB/s
3,835.2
15.7
写入速度,GB/s
2,077.3
13.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
3247
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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