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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
比较
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
总分
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,636.8
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
68
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
30
读取速度,GB/s
4,540.8
14.9
写入速度,GB/s
2,636.8
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
827
3332
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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