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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston KHX2400C14/16G 16GB

总分
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

总分
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Kingston KHX2400C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C14/16G 16GB

差异 规格 评论

差异

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
Kingston KHX2400C14/16G 16GB 需要考虑的原因
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 38
    左右 -46% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 10.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2753 left arrow 2627

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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