Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

总分

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

差异规格评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

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低于PassMark测试中的延时，ns

28 43

左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度，GB/s

17.5 14.9

测试中的平均数值
更快的写入速度，GB/s

12.6 9.6

测试中的平均数值
更高的内存带宽，mbps

17000 12800

左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

主要特点

存储器类型

DDR3 DDR4
PassMark中的延时，ns

43 28
读取速度，GB/s

14.9 17.5
写入速度，GB/s

9.6 12.6
内存带宽，mbps

12800 17000

Other

描述

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)

2506 3104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

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Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

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Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

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Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

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Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB

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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

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G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

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Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

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Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB

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