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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
67
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
67
读取速度,GB/s
14.9
16.0
写入速度,GB/s
9.6
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2030
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
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