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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

总分
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 58
    左右 26% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.5 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 18.5
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 1998

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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