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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
27
读取速度,GB/s
4,217.2
14.5
写入速度,GB/s
1,857.7
7.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2356
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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