RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
76
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
76
读取速度,GB/s
2,909.8
10.3
写入速度,GB/s
1,519.2
6.9
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1260
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link