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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
4,605.9
17.4
写入速度,GB/s
2,451.8
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3310
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
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