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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
60
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
20
读取速度,GB/s
4,595.2
18.2
写入速度,GB/s
2,168.2
14.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3359
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
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