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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
60
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
29
读取速度,GB/s
4,595.2
12.5
写入速度,GB/s
2,168.2
9.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2609
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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