RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
65
左右 -171% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
24
读取速度,GB/s
4,806.8
17.0
写入速度,GB/s
2,784.6
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3230
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link