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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
4,806.8
10.8
写入速度,GB/s
2,784.6
8.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2416
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Kingston KCDT82-MIE 4GB
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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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