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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
4,806.8
14.9
写入速度,GB/s
2,784.6
8.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2373
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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