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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
12.7
15.1
写入速度,GB/s
7.5
11.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2804
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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