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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
19.4
写入速度,GB/s
7.5
15.4
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3496
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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