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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905663-006.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.7
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.7
12.4
写入速度,GB/s
7.5
6.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2067
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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