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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
18.0
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3638
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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