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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
63
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
33
读取速度,GB/s
8.1
16.1
写入速度,GB/s
7.5
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3157
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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