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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 32
    左右 16% 更低的延时
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2057 left arrow 2779

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较

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内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
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takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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