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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 2
    测试中的平均数值
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB 需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    86 left arrow 104
    左右 -21% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    891.6 left arrow 2,404.5
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时，ns
    104 left arrow 86
  • 读取速度，GB/s
    3,192.0 left arrow 2,444.5
  • 写入速度，GB/s
    2,404.5 left arrow 891.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 322

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较

Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB RAM的比较

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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AMD R744G2400U1S 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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内存RAM
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内存RAM
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Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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内存RAM
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