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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

总分
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

总分
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB 需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    14.6 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 14.6
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2057 left arrow 2890

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
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Kingston KM0VW4-MID 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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内存RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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