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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
104
左右 -247% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
30
读取速度,GB/s
3,192.0
14.7
写入速度,GB/s
2,404.5
10.7
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
no data
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2935
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
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