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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
比较
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
总分
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
49
读取速度,GB/s
11.9
8.2
写入速度,GB/s
7.9
5.2
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1979
1223
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB RAM的比较
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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