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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
44
读取速度,GB/s
13.0
12.3
写入速度,GB/s
8.2
7.8
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
1977
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Mushkin 996902 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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