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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
45
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
20
读取速度,GB/s
12.3
20.1
写入速度,GB/s
8.0
15.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3726
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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