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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Maxsun MSD48G30Q3 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
68
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
68
读取速度,GB/s
8.9
15.5
写入速度,GB/s
5.9
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1925
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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