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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
59
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
59
读取速度,GB/s
8.9
20.1
写入速度,GB/s
5.9
10.6
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2382
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
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