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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
5.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
10.6
写入速度,GB/s
5.9
6.8
内存带宽,mbps
10600
8500
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1479
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
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