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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
39
读取速度,GB/s
10.6
13.1
写入速度,GB/s
6.8
10.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2574
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
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