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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
2,936.9
17.3
写入速度,GB/s
1,884.0
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3340
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
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