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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
2,936.9
14.8
写入速度,GB/s
1,884.0
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3073
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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