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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

总分
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

总分
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Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 16.5
    测试中的平均数值
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 77
    左右 -175% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 1,884.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    77 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    2,936.9 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    1,884.0 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    564 left arrow 3128

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内存RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
内存RAM
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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内存RAM
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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