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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
2,936.9
18.2
写入速度,GB/s
1,884.0
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3389
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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