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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
37
读取速度,GB/s
2,936.9
14.7
写入速度,GB/s
1,884.0
9.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2438
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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