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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
77
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
34
读取速度,GB/s
2,936.9
17.3
写入速度,GB/s
1,884.0
12.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2665
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
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SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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