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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
73
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
73
读取速度,GB/s
11.6
13.4
写入速度,GB/s
7.3
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
1468
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
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